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壓敏電壓

壓敏電壓是指在電流為1mA時(shí)測(cè)得的壓敏電阻器兩端的電壓降，它沒(méi)考慮壓敏電阻器的尺寸；E0.5是指在電流為0.5mA/cm2下測(cè)得的加在壓敏電阻器上的電場(chǎng)強(qiáng)度；C值是指在電流為1A（也有的地方說(shuō)1mA，但差別不大）時(shí)壓敏電阻器兩端的電壓降。在n個(gè)相同的壓敏電阻器串聯(lián)或并聯(lián)時(shí)C值的變化如下：

a）串聯(lián)時(shí)電流不變，電壓增大n倍，這時(shí)C值提高n倍，可利用壓敏電阻器串聯(lián)來(lái)提高工作電壓。

                                          V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α

b）并聯(lián)時(shí)電壓不變，電流增大n倍，C值幾乎不變，可利用壓敏電阻器的并聯(lián)來(lái)提高通流容量。

                                          I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α

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ZnO是六方晶系纖鋅礦結(jié)構(gòu)，其化學(xué)鍵處于離子鍵與共價(jià)鍵的中間鍵型狀態(tài)，氧離子以六方密堆，鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對(duì)開(kāi)放的晶體結(jié)構(gòu)，開(kāi)放的結(jié)構(gòu)對(duì)缺陷的性質(zhì)及擴(kuò)散機(jī)制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負(fù)離子的配位數(shù)均為4，所以容易引入外部雜質(zhì)，ZnO熔點(diǎn)為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級(jí)和Zn2+的空的4s能級(jí)組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學(xué)計(jì)量比的純凈ZnO應(yīng)是絕緣體，而ZnO中常見(jiàn)的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過(guò)剩(Zn1+xO)非化學(xué)計(jì)量比n型半導(dǎo)體。

Eda等認(rèn)為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴(kuò)散快，對(duì)壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。

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電源線之間或電源線和大地之間的連接，作為壓敏電阻器，有代表性的使用場(chǎng)合是在電源線及長(zhǎng)距離傳輸?shù)男盘?hào)線遇到雷擊而使導(dǎo)線存在浪涌脈沖等情況下對(duì)電子產(chǎn)品起保護(hù)作用。一般在線間接入壓敏電阻器可對(duì)線間的感應(yīng)脈沖有效，而在線與地間接入壓敏電阻則對(duì)傳輸線和大地間的感應(yīng)脈沖有效。若進(jìn)一步將線間連接與線地連接兩種形式組合起來(lái)，則可對(duì)浪涌脈沖有更好的吸收作用。

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